【亮相】南芯科技8系列硬核矩阵亮相IIC;70+材料项目全国
发布时间:2022-09-29 10:56:32 来源:火狐体育网址是多少 作者:火狐体育手机买球
  集微网消息,视科技创新为核心发展驱动力,“提升在消费电子领域的优势,拓展在工业和汽车电子领域的应

  集微网消息,视科技创新为核心发展驱动力,“提升在消费电子领域的优势,拓展在工业和汽车电子领域的应用”。8月16-17日,上海南芯半导体科技股份有限公司(以下简称“

  2016年,南芯科技成立,专注于电源及电池管理领域,拥有Charge pump、DC/DC、AC/DC、有线充电、无线充电、快充协议、锂电保护等多条产品线。IIC期间,集微网对话南芯半导体市场战略部总监刘崇,走进这家国产模拟和嵌入式芯片设计企业,了解其“内生+外延”式的成长之路。

  电源管理芯片作为模拟芯片的重要分支,往往采用相对成熟的制造工艺,保持着稳定的市场增长。近年来,随着电源管理芯片的主要应用领域——网络通信、消费电子、工业控制、汽车及物联网等产业不断上扬,电源管理芯片市场亦悄然变化。据Transparency Market Research统计数据显示,2020年全球电源管理芯片的市场规模达到330亿美元,预计2026年全球电源管理芯片市场规模将达到565亿美元。

  市场“起风了”。电源管理芯片市场虽仍处于国外巨头垄断格局下,但本土厂商也在该细分赛道努力推动国产化进程,并已有部分企业展露头角,在相关技术上取得一定优势。

  长期以来,南芯科技依托自主先进的技术和完善的产品矩阵,拥有业内领先的升降压充放电技术、国际先进电荷泵充电技术、全国领先GaN直驱技术。刘崇向集微网介绍,“此次参展,南芯携‘AC-DC、DC-DC、Charge Pump、BMS、Switching Charger、Wireless Charger、Interface等产品线,以及汽车电子产品和方案亮相IIC,产品涵盖了大部分电源和电池管理芯片领域,多类产品市占率已达到行业领先水平。”

  以Charge Pump系列为例,支持2:1, 3:1, 4:1, 4:2 等多种系统架构及多种电池方案,并且多款产品集成包括中国自主标准的UFCS协议在内的多款主流手机厂商协议,实现高集成度,高效率的快充方案。同样作为“拳头”技术代表的DC/DC和switching charger系列,架构齐全,覆盖升降压、降压、升压3种架构,包含开关稳压器、开关充电,线性稳压器等多类型产品,技术指标业内领先,广泛应用于扫地机,无人机、电动工具,安防、储能等泛工业市场;AC/DC系列,有新推出的CRM模式PFC控制器,支持GaN应用的高频QR控制器,支持多种模式的同步整流控制器等,拥有SC3201、SC3057、SC3503、SC2151A等多款明星产品。

  据Frost & Sullivan研究数据显示,以2021年出货量口径计算,南芯科技电荷泵充电管理芯片位列全球第一,升降压充电管理芯片位列全球第二、国内第一。

  在“时间优先、性能优先”的要求下,南芯屡屡刷新纪录,是妥妥的“六边形战士”——

  2019年,推出兼容电荷泵充电和低压直充的手机充电芯片;2020年,推出原边、副边AC/DC控制芯片并支持GaN驱动,搭配自研充电协议芯片,具备提供高功率密度AC/DC整体充电解决方案能力;同年,推出支持笔记本电脑NVDC路径管理的Buck-Boost升降压充电管理芯片;2021年,推出功率MOS全集成超高压4:2电荷泵快充IC,业界同类产品同一时间内最大功率......

  近年来,智能化和电动化趋势明显,汽车电子市场成为电源管理芯片厂商“必争之地”,表现亮眼的新能源汽车领域尤甚。日益增长的存量与增量市场,为身处上游的电源及电池管理芯片带了可观的发展前景;与此同时,与消费级芯片相比,车规级芯片在可靠性、安全性方面提出的更为严苛的要求又阻遏着一众厂商的雄“芯”壮志——渴望开拓,苦于技术。

  “草蛇灰线、伏脉千里”,虽无法准确推断南芯科技布局汽车电子领域的时间线,却并非无迹可循,刘崇表示,南芯在全力开发消费和工业类产品的同时,就已着手优化产品性能、推动车规级认证工作,开始迈向技术“深水区”。

  南芯科技招股书显示,2019-2021年度,公司研发费用分别为2487.16万元、3850.12万元和9359.00万元,占当期营业收入比例均在9%以上。

  这意味着,在电源管理芯片市场同质化竞争日趋激烈之时,南芯科技依托先进技术避开“暗礁”,向供不应求的高端电子市场落下“先手棋”,力图打造业绩第二增长曲线。目前,南芯科技“SC5003Q/SC8101Q/SC8701Q”等多款产品已通过AEC-Q100车规质量认证,可提供完整的车载无线、有线充电方案,在多款车型中已实现前装量产,打入沃尔沃、比亚迪、现代等车企供应链。

  南芯科技出货量逐年增长、经营规模快速提升的现象,迅速指向一个事实——即在产品良率的把控上已达臻境。据悉,南芯成立之初即成立了品控团队,建立了完善的质量管理体系;并根据不同应用领域对产品的个性化要求,选取合适的测试方案,支持研发工程师快速定位设计工艺问题,改善设计和制造良率,对成品质量做到精准把控,“性能和品质,两手都要硬,这是南芯刻在骨子里的基因”,刘崇说道,良率决定规模,规模保证供应。

  谈及此次南芯赴IIC参展,刘崇表示,从两个层面来看。一来希望将南芯的技术和产品矩阵向行业伙伴作分享交流,譬如升降压、电荷泵、GaN驱动等核心技术和多条产品线;二来旨在推广汽车电子产品线,通过展示我们在车载充电方向的成绩以及一系列的产品规划,向外界展现积极开拓的、勇于进取的企业形象。

  整体而言,在消费电子不断夯实、工业和汽车电子持续开拓的格局下,南芯科技迈向高端市场的路线已经排定。而身处“风起云涌”的国产替代潮,南芯再走“芯”途,向技术“深水”中投出了一颗颗“探路之石”。

  集微网消息 得益于国内半导体产业高速发展以及下游汽车、工业等领域持续旺盛需求,半导体整体供应链的系统性需求被拉动,其中对半导体材料的拉动效应也正在显现。

  集微网不完全统计显示,2022年上半年分布于超20个省市的超70个半导体材料类项目取得新进展,涵盖签约、开工、竣工和投产,其中签约项目超30个,开工项目超25个。从数量来看,相比上半年设备类项目,材料类项目地方落地、推进热度更高一些。

  根据集微网对上半年材料类项目的统计,2022年1-6月份签约/开工项目分布在江苏、广东、安徽、浙江、江西、山东等20个省份地区,其中项目数最多的省份为江苏,其次是广东和安徽。

  其中,兴硅科技集成电路CMP关键材料项目、百识电子半导体项目、中环领先高速低功耗集成电路用高端硅基材料的研发与生产项目等半导体制造材料项目,以及芯爱集成电路封装用高端基板一期项目等半导体封装材料项目,均落户江苏。

  根据分类来看,2022年上半年材料项目中封装材料领域以占比超50%居于高位;相比较下,半导体制造材料项目占比稍低,主要集中在硅片、靶材、光刻材料等领域。

  从投资额度来看,2022年上半年超20亿元投资规模的材料类项目超20个,其中封装基板、硅片领域在高投资额项目中占比近半。如100亿元芯爱集成电路封装用高端基板项目,62亿元有研艾斯12英寸硅片项目、约60亿元博敏IC封装载板产业基地项目,均居高位。

  此外,从1-6月签约和开工项目走势来看,各地在材料类项目推动上与设备类项目形成互补,其中在材料类项目签约/开工低谷期——3-4月份,设备类项目签约/开工反处高位。

  总投资45.9亿元,项目将分三期建设,其中一期计划投资8.7亿元,主要建设月产10000张研磨垫及500吨研磨液项目。

  项目总投资约60亿元,落户知识城湾区半导体产业园,计划建设年产能达2.3亿颗FCBGA封装基板的智能化工厂。

  该项目总投资60亿元,项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及光探测器、太赫兹器件、量子运算器件、高性能功率器件和高频器件等,努力打造世界一流的化合物半导体研发制造综合体。

  2022年5月16日,有研艾斯12英寸硅片项目开工,项目总投资62亿元,将建设12英寸硅片加工厂房、动力站、化学品输送、环保消防等辅助设施,项目建设期限为2021-2023年。

  项目占地约200亩。项目分两期建设,第一期总投资30亿元,第二期总投资30亿元。项目主要从事高端高密度封装载板产品生产,应用领域涵括存储器芯片、微机电系统芯片、高速通信市场及Mini LED等。

  项目总投资50.67亿元,利用中环领先厂区预留用地新建厂房,建成后将主要新增集成电路用8英寸抛光片延伸产品产能,应用于高速低功耗集成电路相关产品。

  项目总投资30亿元,主要生产IC封装基板、高密度电子电路板等产品,设计生产能力为IC封装基板70万平方米/年、高密度电子电路板200万平方米/年。

  浙江大和半导体产业园三期项目由杭州大和热磁电子有限公司投资建设。三期项目主要为半导体用陶瓷氧化铝产品、半导体用高纯硅部件产品以及高纯石英产品。

  珠海越芯项目由越亚半导体投资35亿元,在珠海富山工业园内建设三厂,扩建高端射频及FCBGA封装载板生产制造项目,该项目于2021年12月8日奠基,今年1月28日B1厂房封顶。该项目主体珠海越芯半导体有限公司为珠海越亚半导体股份有限公司全资子公司。

  项目总投资40亿元,将在经开区首期建设年产120万片8英寸(以特殊需求外延片为主)、年产240万片12英寸外延片,未来可扩产至8英寸年产240万片、12英寸年产360万片,全部达产后年产值50亿元左右。

  项目总投资额45亿元,总用地约114.6亩,建设CPU、GPU、AI、FPGA、5G、自动驾驶和网通产品等高端封装制程生产线,用于高端基板研发生产。建成后产值10亿元。(校对/赵碧莹)

  消费者、政策/法规、市场三合力,不断推动 ADAS 渗透率提升。2022 年 3 月国内新车L2级配套量接近 41.6 万,渗透率近 30%。ADAS 成标配,CIS 如何升级?

  豪威集团汽车 CIS 系列专题 ADAS 篇将分 5 期,每期一个硬核知识点,助您详尽了解 ADAS 领域应用、技术趋势与车规产品。

  上期梳理了汽车高分辨率趋势下的豪威车载 CIS 技术演进史。本期将聚焦 ADAS 对 HDR 提出的新要求及背后的技术变革。

  动态范围(DR)指在同一画面中,明暗差异大,图像传感器能够识别的最强信号和最弱信号的比值。人眼的动态范围一般在 130dB1左右,前视摄像头作为 ADAS/AD 的核心眼,需要在高速行驶时,快速识别不同光照条件下的明暗细节,准确捕获图像,否则影响行车安全。典型的 HDR 需求是当汽车驶出隧道既要识别亮处也要获取暗部细节,或者夜景中识别极暗的行人和极亮的车灯、LED 信号灯等。理想的动态范围需超过人眼 DR,达到 140dB HDR。

  因此对于 ADAS 应用,覆盖 120dB HDR 是基本要求,而覆盖 140dB HDR 是汽车机器视觉的趋势所在。

  目前,豪威集团是国内唯一能够量产 140dB HDR 车载产品的厂商。国内竞争对手于去年进入 120dB 阶段,目前尚未研发出 140dB 车载产品。

  传统HDR使用不同曝光时间的多个图像,但对于快速移动物体会产生运动伪影(Motion artefact)。豪威集团 Split Pixel 和 Deep Well™ HDR 方案有效解决了该问题:

  1. Split Pixel 分割像素技术:2009 年推出,并分别在 2012 年和 2016 年优化升级。该技术通过大小像素的分离结构,产生不同的感光度,形成了对不同动态范围的覆盖。相比其他 HDR 方案,具备避免鬼影和 LED 闪烁抑制的优势。

  2. Deep Well™ DCG 技术:2018 年第一代 DCG 技术面世,后经过优化发展到目前的第三代 DCG 技术。独特的 DCG 技术通过对转换增益进行两次采样并添加曝光以实现准确的场景再现。该方案同样能避免高速运动产生的鬼影。

  以两次曝光 Staggered HDR 为例,该方案让 CMOS 完成第一行长曝光的同时,第一行像素几乎立即开始短曝光,每行以长短曝光两次先后输出。从 readout 看,就是长曝光帧与短曝光帧依次输出。

  2. 拍摄对象是 PWM 供电的 LED 灯时,比如交通信号灯或汽车信号灯,如果短曝光帧没有捕捉到 LED 闪烁,会造成信号灯图像误读,这在车载成像上是致命的。

  该方案虽能满足消费领域的需求,却不适用汽车摄像头这种对高动态范围和去伪影要求高的应用。因此国内车载竞品虽然采用了双转换增益弥补 Staggered HDR 短板,但目前其车载产品仍处于 120dB 阶段。

  除了 140dB HDR,ADAS 对图像传感器还提出了哪些挑战?敬请关注下期文章“豪威汽车 CIS 系列专题 ADAS 篇(四)”。

  集微网消息,集微咨询数据显示,2022年7月发生超59起“芯融资”事件,融资总规模超97亿元。

  其中,天数智芯C+轮及C++轮融资规模超10亿元,沐曦Pre-B轮融资规模达10亿元,本源量子B轮融资规模近10亿元。

  7月,武岳峰资本、善金资本、鼎晖百孚、金浦新潮、中金资本、合肥产投等接连投注多家企业。同时,以上活跃资本7月同时参投多家相同企业。比如:金浦新潮、武岳峰资本共同参与了景略半导体的C轮融资。

  从往月来看,融资事件第一梯队位于江苏、广东、上海,第二梯队位于北京、浙江、安徽,其他地区可归为第三梯队。本月,第一梯队、第二梯队融资事件依旧火热,第三梯队融资事件创今年新高,占比高达20%。

  光刻胶是光刻工艺的核心材料,其分类多样,根据应用领域可划分为半导体光刻胶、平板显示光刻胶和PCB光刻胶。其中,半导体光刻胶与国外相比差距最大。光刻胶市场的集中度较高,由美日企业主导,占据绝大多数份额,在信越断供事件、晶圆厂扩产等多重因素持续影响下,部分国内厂商抓住机会快速切入。

  SEMI数据显示,随着国内晶圆代工产能的不断提升,2025年中国光刻胶半导体市场规模有望达到100亿元,2020-2025年年复合增速将达到35%,明显高于全球市场增速。

  迪道微完成数千万元Pre A轮融资,由水木梧桐创投投资。该公司产品聚焦在半导体和平板显示光刻制程领域,主要有半导体清洗剂、平板显示光刻胶以及半导体光刻胶(i、g、KrF、ArF)。公司核心产品的开发和商业落地进行顺利,量产出货指日可待。

  微芯新材完成B轮融资, 由鼎晖百孚、龙芯资本等多家机构投资。微芯新材成立于2018年,致力于KrF/ArF高端光刻胶树脂、单体的开发,该公司采用创始人姚志艺博士自主开发的工艺技术生产单体产品,具有高纯度、低成本、绿色环保的优势,旨在利用独特的工艺技术带来纯度和成本优势。

  恒坤股份获创合鑫材基金投资。该公司在高端光刻胶和前驱体领域已率先成为国内外一线龙头企业的合格供应商,实现批量供货。其中,自主研发的光刻胶及光刻材料产品技术已达到国际先进水平,出货量持续增长,盈利能力高于传统公司。

  全球GPU市场表现为寡头垄断下的高增长,年复合增速超过30%,主要市场份额被英伟达等美系企业占领。近几年来,近几年来国内涌现出了不少GPU企业,例如沐曦集成电路、摩尔线程、深流微、壁仞科技等,这些企业获得了资本的热捧,且融资规模普遍较高。

  GPU赛道,2020年融资事件超4起、融资规模超12亿元,获融资企业包括壁仞科技、沐曦集成电路等;2021年融资事件超10起、融资规模超48亿元,获融资企业包括深流微、沐曦集成电路、摩尔线亿元,获融资企业包括天数智芯、砺算科技、芯瞳半导体、深流微智能、智绘微等。

  沐曦宣布完成10亿元Pre-B轮融资,由上海混沌投资集团、央视融媒体产业投资基金、上海国盛资本、中鑫资本、建银科创、和暄资本、普超资本等投资。该公司核心团队成员平均拥有近20年高性能GPU产品端到端研发经验,曾主导过十多款世界主流高性能GPU产品研发,包括GPU架构定义、GPU IP设计、GPU SOC设计及GPU系统解决方案的量产交付全流程。

  天数智芯宣布完成超10亿元的C+轮及C++轮融资,C+轮由金融街资本领投,C++轮由厚朴投资和旗下的厚安创新基金领投。该公司是中国第一家通用GPU高端芯片及高性能算力系统提供商,截止至2022年3月底,天垓100产品已实现销售订单近2亿元,协助客户落地达两百多应用场景。(校对/赵碧莹)

  在智能手机屏幕越做越大的同时,用户对视频、游戏等各类APP使用也越来越频繁,这就对电池电量的续航时间提出了更高的要求。增加电池容量和减小各元件的功耗是手机设计者必须要考虑的问题。手机射频前端(Radio Frequency Front End, RFFE)消耗了手机电池续航能力的15% ~ 40%,而射频前端中功率放大器(Power Amplifier, PA)的耗电量尤其大,因而降低功率放大器的功耗是解决电池续航的关键技术。功率放大器常用的供电技术有两种:一种是使用固定电源供电;另一种是包络跟踪技术(Envelop Track, ET)提供动态变化的电源。

  传统的功放使用固定电源供电,当功放输入信号变化时,电源信号固定不变。由于需要满足高功率信号的线性要求,PA的电源电压值较高,对于相对较小的功率信号,多余的电压部分会以热量的形式被浪费,从而降低了PA的能量效率。

  包络跟踪是一种动态电源技术,功放的供电电源随输入信号的包络变化,也就是说包络放大器需要根据射频信号的包络幅度来决定功率放大器的供电电源。当输入信号较小时,采用低电压供电;输入信号较大时,采用高电压供电。使得功率放大器在不同的输入信号时供电电压不同,进而降低功耗。

  由图2可以看到,在整个手机收发系统中,存在多个PA以支持不同的无线通信标准和频带。由于射频信号通常具有较大的带宽,因此包络芯片也需要支持相应的带宽,同时它还需要具有较高的效率来保证整个PA系统的高效率。包络芯片的高线性度可以减小PA线性放大时需要预留的电源电压差值以提高PA的效率。那么,什么样的电源架构可以用于包络芯片呢?

  比较常见的手机电源模块主要有线性稳压器和开关稳压器。因为具有宽带宽、低输出纹波、且能适配功率放大器较高的线性度要求等优势,线性电源调制器可用于产生功放电源,以获得良好的带内外频谱特性。然而,线性电源调制器在输出低电压时,效率很低。开关电源变换器(通常为Buck变换器)在很宽的输出电压范围内有着很高的效率,缺点是其产生输出纹波较大。开关电源的带宽在开关频率的范围内(大约为1MHz量级),带宽较窄,如果要达到更大的带宽就需要增加开关频率,会影响效率。由此可见,单独采用线性电源或开关电源的方式难以满足整个PA系统的高效率、宽带宽、高线性要求。

  结合两种电源结构的特点,混合型结构的电源模块被应用在包络技术中。混合式包络跟踪芯片结合了线性电源调制器和开关变换器,其中线性电源调制器提升了线性度和带宽,开关变换器提升了效率,因此可以实现效率、带宽和线性度的良好折衷。

  图3是一种混合式包络芯片的结构。包络芯片接收指示了射频信号的包络信号,并基于包络信号能实现自适应动态电源输出,进而为PA提供电源电压。PA的电源电压紧密地追踪随时间变化的射频信号,因此PA电源电压与射频信号包络之间的差异小,只产生很小的功率浪费。

  在历年发布的诸多国产旗舰手机中,我们都能看到高通每一代包络芯片的身影。芯愿景在分析高通公司的QET5100芯片时,发现QET5100芯片中主要包含了BUCK变换器、BOOST变换器、线性放大器等模块。线性放大器通过接收来自处理器的信号,产生包络信号。线性放大器模块与BUCK变换器共同产生电源输出,为功率放大器供电。

  在QET5100之前我们看到高通公司的包络芯片都是单芯片结构。而在小米11手机中,我们发现,高通的包络方案同时使用了QET6100和6110双芯片结构。在使用骁龙8Gen1平台的Moto edge X30手机中,我们发现第7代包络芯片延续使用了双芯组合,而且使用了CSP封装将两颗管芯紧密的封装在一起。

  手机芯片设计师在节省电力、提高功率效率等方面不断做出包络技术的改进,并应用到各厂家的手机产品中,芯愿景也将一如既往地持续跟踪分析这些芯片。如果您对包络电源芯片的更多技术细节感兴趣,欢迎来电咨询。

  集微网消息,8月18日,位于黑龙江省哈尔滨新区的科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投用。

  哈尔滨新区报消息显示,科友第三代半导体产学研聚集区项目由哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司(简称科友半导体)与哈尔滨新区共同投资10亿元建设,将打造包括技术开发、装备设计等在内的全产业链的科技成果转化及产业化应用研究集聚区,并以哈尔滨为总部,打造国家级第三代半导体装备与材料创新中心。

  据介绍,目前生产车间里已经安装完100台长晶炉,后续还要安装100台。预计年底全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。

  科友半导体成立于2018年,主要攻关第三代半导体材料和装备,在相继突破4英寸和6英寸SiC衬底和装备技术的基础上,不断向产业化方向迈进,目前已形成从材料到衬底和装备的自主知识产权体系,具备规模化生产条件。

  今年6月17日,科友半导体宣布,以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破,达到32.146mm,业内领先。此外,其自主研发的SiC长晶炉(感应)已有99%的部件实现国产替代。(校对/赵碧莹)

  集微网消息,8月18日,风华高科发布半年度业绩报告称,2022年上半年营业收入约21.18亿元,同比减少21.47%;归属于上市公司股东的净利润约3.68亿元,同比减少27.21%;基本每股收益0.37元,同比减少33.1%。

  风华高科表示,虽然以 5G 应用、新能源汽车、光伏等为代表的高端应用领域市场需求稳定,但家电、通讯等消费电子市场需求持续疲软,公司高端产品销售占比同比大幅提升,但总体受市场需求下滑影响,呈现量价齐跌情形。

  上半年,风华高科通讯、汽车电子行业销售占比较上年分别提升 3 个百分点,成功导入新能源汽车行业标杆客户全系列车规产品,其中:汽车电子销售同比增长 28.52%。报告期,公司高端产品销售占比环比持续提升,其中:高端 MLCC、片式电阻器销售占比分别由 1 月份的 30.26%、28.37%持续提升至 6 月份的 40.80%、43.43%。

  研发方面,风华高科高端 MLCC 中试线平台、材料研发平台已投入使用,部署推进华东研发中心和薄膜微纳平台的建设;完成国重实验室组建方案,牵头组建广东省新型电子元器件创新中心,参与组建山东省先进功能陶瓷材料制造业创新中心。